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快速退火炉
设备名称:快速退火炉
设备型号:RTP-CT150M
技术指标:
可适应晶圆厚度:≦5mm
样品尺寸:6英寸及以下
反应气体:N2、O2
退火温度:室温-1250℃
温度重复性:±2℃
温度精度:±1℃
应用领域
快速退火炉用于半导体退火工艺制程,二极管芯片、发光二极体(LED)芯片制造等领域,是对半导体材料进行退火的重要工具。在半导体科技的大量研究工作以及批量生产过程中间,让材料具备优异的物理和化学性能目的。
快速退火炉是芯片退火的重要工艺设备,研究人员通过对镀上半导体材料的芯片进行快速升温,然后持温一定时间,消除材料中的晶格缺陷所累积的内应力,让材料晶格重新排列,使材料性能优化之用途。

                                        

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