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ITO EB
设备名称:ITO电子束蒸发台(ITO E-beam Evaporator)
设备型号:PEVA-600I
技术指标:
基板尺寸:2、4、6英寸,2英寸可放102片;
基板加热:最高温度350℃,控温精度1℃;
系统极限真空度:2×10-7 torr;
蒸发源数量:6个坩埚;
可蒸发材料:ITO、SiO2
膜厚均匀性:≤±5%;
应用领域:用于半导体芯片制造环节中ITO、SiO2等化合物的蒸镀,2英寸片间和片内膜厚均匀性优于5%。2500Å的ITO退火前方阻小于10Ω/£,465nm波段透光率大于90%。

                                        

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