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光刻机
设备名称:光刻机
设备型号:ABM/6/350/NUV/DCCD/M
技术指标:
350 瓦近紫外光源
365nm波长输出光强:18-20 mW/cm2
曝光有效范围:6英寸直径的圆形
曝光光强均匀性
曝光中心点2英寸直径范围内光强度误差<±1%
曝光中心点4英寸直径范围内光强度误差<±2%
曝光中心点6英寸直径范围内光强度误差<±3%
光刻线条分辨率(以1微米以下厚度的正胶为例)
• 真空/硬接触模式作业曝光分辨率极限能力优于0.5微米
• 软接触模式作业曝光分辨率极限能力优于0.8微米
• 以50微米间隙模式作业曝光分辨率极限能力优于1微米
• 以100微米间隙模式作业曝光分辨率极限能力优于2微米
双视场CCD数码显微镜系统,放大倍数90x-600x连续可调节或切换180x-1200x 连续可调节
应用领域
紫外光刻机用于半导体光刻工艺制程、光波导、光栅、微机电MEMS、LD、二极管芯片、发光二极体(LED)芯片制造、显示面板LCD、光电器件、纳米压印和电子封装等领域,是进行纳米器件组装和材料表面构筑的重要工具。
光刻机是微电子器件及集成光学器件关键的工艺设备,研究人员通过光刻工艺将已设计好的各种细微图形显像到芯片的光刻胶上,在经过其它半导体工艺如刻蚀、扩散等,最终在芯片表面形成需要的图形结构,这样经过几次甚至十几次反复的光刻及其它工艺,才能形成具有特殊功能的微电子、光电子器件.

                                        

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