所在位置:首页 -> 主要设备 -> 平台介绍

平台介绍

      1、高质量GaN基LED材料新型生长技术研究(纳米图形衬底技术,GaN纳米线生长技术,非极性生长技术等)

 采用图形衬底外延LED提高出光效率已经成为市场上的主流技术之一。该技术可以有效地释放GaN 所受的应力,改善晶体质量,提高出光效率。目前图形衬底外延技术基本上都是基于微米级尺寸的蓝宝石及硅图形衬底,且目前对图形衬底的设计多靠经验,对图形的形状、尺寸与生长质量之间关系的研究不足。而更小尺寸、优化设计图形衬底,更有利于释放应力,提高出光效率。

      2、大尺寸(4英吋和6英吋)蓝宝石衬底上LED产业化技术生长高质量 LED。从而可以提高LED 的整体亮度及效率,超过目前市场的主流产品。

目前,国内LED产业仍广泛采用2英寸蓝宝石衬底生产GaN蓝色发光二极管,大约每个衬底制造约10,000 个LED芯片。近来MOCVD设备厂商Aixtron联合SemiLed展示了使用6 吋saphhire衬底生产蓝色发光二极管,从而实现蓝光LED成本的降低。6吋晶圆在生产背光源用LED时可以容纳近90,000 LED芯片,这些芯片可以同步处理,因此生产成本必然大幅下降。这种优势的负面效果就是暂时的晶圆产量和成品率的下降,LED这个行业还要经历一个学习过程,需要时间学习如计算机控制的全自动化的芯片制造等。使用6吋衬底制造蓝光LED芯片不仅对蓝宝石衬底供应公司产生积极的推动作用,同时也对芯片设计、封装材料、芯片设备、以及Axitron、Veeco等外延设备公司将有积极的影响, Cree、欧司朗、飞利浦制造商/Lumiled、日亚、丰田合成、首尔半导体、晶电、亿光电子、KingBright、安华高等公司将大大得益于使用6吋晶片。随着制造业费用的大幅下调,预计LED将迅速渗透到各种应用领域。此外还有厂商正在作出努力,采取更便宜的像玻璃和硅片衬底制造LED,所有这些努力都在不久的将来非常有希望帮助LED克服成本方面的障碍。

      3、LED结构模拟计算、新型量子阱结构的研究

 由于GaN 材料纤锌矿的晶体结构而导致GaN 材料内存在强烈的自发极化和压电极化,同时不同组份氮化物之间存在晶格常数失配导致较大的位错密度,因此, 2-3nm 量级情况下,不同材料、不同结构的量子阱对载流子的注入与输运过程、辐射与非辐射复合过程等会产生重要的影响,对此类问题的正确和深入的认识是我们能够提高LED 发光效率的科学基础。但目前国内企业对于LED 的结构设计研发大多依靠研发人员的经验,缺乏理论支持,往往只能在一定范围内定性地进行经验总结,无法构建完整的理论模型进行精确分析。这导致外延技术的可移植性不足,缺乏系统性,存在一定的盲目性。因此本课题对量子阱的结构设计进行系统的理论分析,构建完整的理论框架模型,可以减少研发的盲目性,提升技术的可移植性。