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HT-MOCVD
        我院采用的HT-MOCVD设备是德国爱思强(Aixtron)公司生产的CCS 3×2" FT MOCVD系统,是国内第一台实验型超高温MOCVD系统,托盘表面温度可达1450℃,可以进行超高温下高质量AlN系氮化物外延材料生长。该设备采用垂直式近耦合喷淋反应室,喷淋头与托盘间距可调,同时喷孔密度高,气流均匀,基座采用三组电阻加热,温度均匀性好。
        本设备的主要技术参数:
        1、  外延尺寸:3片2英寸或1片4英寸;
        2、  生长温度控制范围:400~1450℃;
        3、  反应室压力控制范围:20~1000mbar;
        4、  源气配置:4路气体(H2、N2、NH3、SiH4)、9路MO源(2路TMGa、2路TMAl、TEGa、TMIn、2路Cp2Mg、1路spare)
        5、  基本材料指标
U-doped GaN
生长速率
≥2um/h
厚度均匀度
<1.5%
外延C、O杂质含量
<1E17cm-3
AlGaN(Al组分50%、70%、90%)
生长速率
>1um/h
厚度均匀性
<2%
XRD 002/102
350/600arcsec
n-AlGaN(Al组分70%、
厚度0.5um)
Si掺杂
>1E19cm-3
载流子浓度
>2E17cm-3
XRD 002/102
350/600arcsec
AlN
生长速率
>2um/h
厚度均匀性
<2%
外延C、O杂质含量
<1E18cm-3
XRD 002/102
400/1000arcsec
表面粗糙度
<2nm

                                        

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