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PECVD
      借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种化学气相沉积称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。主要用于LED芯片制备工艺流程中,制备用于芯片刻蚀的掩膜。
      我院采用的PECVD设备是英国牛津公司生产的Plasmalab 800Plus,其技术指标如下:
      (1)    *沉积SiO2速率≧30nm/min,沉积SiNx速率≧10nm/min。
      (2)    *单片外延片内的不均匀度≦±3%,片间不均匀度≦±3%;Run to Run的不均匀度≦±3%。
      (3)    系统温度可以在室温和350oC之间调整,并能稳定在这个范围内的任意温度,控温精度为±1oC。
      (4)    正常工作状态,真空系统可以在10分钟内将反应腔的气压从大气压抽低至1×10-3torr以下,反应室的真空度的下限可以抽到5×10-4torr。