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PECVD
设备名称:等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
设备型号:oxford 800Plus
技术指标:
RF射频源:高频13.56MHz 功率0-300W
低频50-460KHz 功率0-500W
样品尺寸:6英寸、4英寸、2英寸及碎片
下电极可加热温度:室温-400℃可调
反应气体:CF4/O2、N2、N2O、SiH4/N2、NH3
可生长材料包括:SiO2、SiNX薄膜、不含H的SiNX薄膜、SiNOx薄膜
应用领域:主要应用于LED及电子器件钝化膜的生长:大批量、高质量SiO2、SiNX薄膜生长;NH3 Free (不含H的SiNX)薄膜生长。

本设备采用高低频控制系统,可以大大降低薄膜应力。


                                        

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