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ICP
      等离子体是一种由自由电子、离子、中性原子与分子所组成的在总体上呈中性的气体。感应耦合等离子体(ICP)刻蚀系统借助微波或射频将Cl2、Ar或其他一些气体激发成等离子体,这些激发态气体通过偏压加速后轰击样品表面或以扩散方式到达样品表面并与其反应生成易挥发状物质,然后被排气系统排出腔体外。
      我院我院采用的ICP设备是英国牛津公司生产的Modular Claster System- ICP380型设备,主要用于LED制备过程中GaN及蓝宝石的刻蚀。
其主要技术指标如下:
刻蚀GaN材料
*刻蚀速率
≥1000 Å/min
*单片刻蚀均匀度
≦±3%
*片间刻蚀均匀度
≦±3%
刻蚀选择比(相对于SiO2)
≧5:1
刻蚀选择比(相对于Ni)
≧10:1
刻蚀选择比(相对于PR)
≧0.6:1
刻蚀Sapphire材料
*刻蚀速率
≥500 Å/min
*单片刻蚀均匀度
≦±5%
*片间刻蚀均匀度
≦±5%
刻蚀选择比(相对于SiO2)
≧5:1
刻蚀选择比(相对于Ni)
≧10:1
刻蚀选择比(相对于PR)
≧0.5:1