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ICP
设备名称:感应耦合等离子刻蚀机(ICP)
设备型号:oxford ICP 380
技术指标:
ICP离子源:0-3000W
          RF射频源:0-600W
样品尺寸:6英寸、4英寸、2英寸及碎片
基底刻蚀温度:-20℃-30℃可调
刻蚀气体:BCl3、Cl2、SF6、Ar、O2、CHF3
可刻蚀材料包括:GaN、Al2O3、SiO2、Si3N4
应用领域:ICP刻蚀主要通过高频辉光放电反应,将反应气体解离为活性粒子,轰击刻蚀材料,同时与刻蚀材料进行反应来实现刻蚀。主要用于GaN、Al2O3、SiO2、Si3N4等材料的刻蚀。

                                        

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