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近紫外LED
        近紫外LED一般是指发光波长在320-400 nm的LED,在紫外光固化曝光、激发三色荧光粉制备白光LED、紫外验钞、紫外识别等方面具有重要的应用。为响应联合国《水俣公约》的号召,我国将于2020年全面限制含汞紫外光源的生产和进出口。InAlGaN基紫外LED作为目前唯一可替代汞灯的固态光源具有重要的应用前景。
        近紫外LED近几年市场份额逐年递增、潜力巨大,据LEDinside预估2016年紫外LED应用于光固化市场产值到达8100万美元,2021年将达1.95亿美元,年复合增长率为19%,2020年紫外LED光固化模块的渗透率将达到50-60%。美国、日本、欧洲等国家在近紫外LED方面都投入巨大研发力量,是目前国际产业化竞争的重点。

                                        

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