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新型高效GaN基半导体功率关键元器件
        目前全球40%的能源作为电能被消耗,而电能传输转换最大耗散在于半导体功率器件,轨道交通供电系统、智能微电网、电动汽车,光伏逆变器、电源适配器、UPS电源等应用,都对半导体功率器件的开关速率、耐压特性、系统效率和可靠性提出了更高的要求。功率开关器件在工业控制、交通、通讯和国防等诸多领域具有重大应用价值。
        传统半导体功率器件以Si为基础,发展成熟,但同时也逐渐接近性能极限,随着功率和性能要求的进一步增加,Si基器件的复杂性和成本迅速增加。以GaN、SiC等为代表的第三代半导体迅速崛起,正在成为全球半导体产业新的战略高地。与传统Si相比,GaN基半导体具有禁带宽度大、饱和飘移速率高、耐高温等特点,且由其形成的异质结构具有很高的二维电子气浓度和载流子迁移率,在开关速率、击穿电压和系统效率等方面拥有优异性能。GaN基功率器件能承载更高功率密度,有更高能量转换效率,可使整个能量变换装置小型化、轻量化,降低系统成本,对全球节能减排事业意义重大。

                                        

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