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GaN深刻蚀

GaN深刻蚀实验

    在蓝宝石图形衬底上生长的GaN外延层通常具有6μm甚至更厚的厚度。在微小尺寸光电器件,例如微LED阵列、可见光通信器件等的制作过程中,实现相邻单元之间的电学隔离尤为重要。我院组建的工艺设备不仅覆盖了完整的器件研发生产线,同时设备性能处于行业领先水平。

    深刻蚀的具体步骤为:

1.使用Oxford PlasmaPro 800Plus PECVD 沉积氧化硅;

2.使用ABM/6/350/NUV/DCCD/M半自动紫外光刻机进行曝光,定义刻蚀掩膜图案;

3.使用Oxford PlasmaPro System133 ICP380 刻蚀氧化硅;

4.继续使用Oxford PlasmaPro System133 ICP380 刻蚀GaN外延层;

5.使用BOE缓冲氢氟酸去除表面的氧化硅掩膜,最终得到分立的GaN阵列。

上图即为使用ICP电感耦合等离子刻蚀得到的分立器件单元平面与截面图。实现了微小发光阵列深刻蚀隔离,材料表面光滑无损伤,侧壁形貌陡直,蓝宝石图形衬底完全显露清晰可见。

 

 


                                        

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