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第三届全国宽禁带半导体学术会议在西安成功召开
发布时间:2019/10/28 16:23:00  浏览次数:278

10月17-20日,第三届全国宽禁带半导体学术会议在西安召开。本次会议由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会中国电子学会电子材料分会共同主办,西安交通大学等单位承办

全国宽禁带半导体学术会议每两年举办一届,是国内宽禁带半导体领域最权威的学术会议之一。本次会议受到全国各界的广泛关注,共有包括多位中科院院士在内的、来自40多所国内著名高校、科研院所以及业界的专家学者、工程师430余人参会。大会共计收到学术交流论文300余篇,大会包含14篇大会主旨报告、61篇分会邀请报告、96篇分会口头报告、130余篇张贴海报报告。本次会议国内各相关领域知名专家学者共济一堂,深入了解、交流了宽禁带半导体及其器件研究领域的最新进展,为发展新的实验方法、理论并凝炼关键科学问题提供依据,全面推动以宽禁带半导体材料为基础的跨学科、跨领域的深入实质性的合作,促进我国宽禁带半导体材料及其器件研究平台的建设,并通过共同努力,拓展该类先进材料与器件的应用与成果转化。

 省半导体院作为主办方之一,与其他主办单位、承办单位一起携手合作,确保了会议的圆满举办。我院有10位专家学者参加了学术交流,赵维博士代替陈志涛院长作了题为《AlGaN基紫外LED的缺陷调控及发光效率提升研究》报告,龚政教授作了《Micro-LED显示技术发展之路-单色显示vs全彩显示》的邀请报告,获得与会专家学者的热烈反响。我院学者与同行们进行了深入的交流,研发成果得到广泛的关注与认可,增强了我院与国内各高校、科研院所以及企业的沟通合作,进一步提升了我院的影响力与关注度。





(赵维 供稿)